|
5 [/ Y1 y* a' v- _# U9 J 本文源自:金融界 7 m4 h1 m' @4 H' I" p
金融界 2024 年 8 月 30 日消息，天眼查知识产权信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“硅抛光片的微粗糙度与氧化膜厚精确控制方法“，公开号 CN202410623802.1，申请日期为 2024 年 5 月。 ; u. Z8 O$ d8 D T$ k
专利摘要显示，本发明涉及一种硅抛光片的微粗糙度与氧化膜厚精确控制方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：硅抛光片在 HF 槽内进行清洗。第二步：采用溢流方式进行超纯水清洗。第三步：进行 2 次 SC1 溶液清洗。第四步：进行 2 次与 SC1 溶液清洗时间保持一致的超纯水清洗。第五步：在 DHF 槽内进行清洗。第六步：在臭氧水槽内采用溢流方式清洗，完成臭氧水清洗后再用超纯水进行清洗。第七步：硅抛光片经过清洗后干燥采用温水慢提拉结合红外干燥方式。具有操作便捷和质量稳定性好的特点。通过 SC1 槽的清洗温度与清洗时间精确控制硅片的 Haze‑微粗糙度，同时通过臭氧水的清洗时间实现硅片表面氧化膜厚的精确控制。
@/ c6 F$ I. d6 d# |/ K* B7 R
. [; M) |4 u2 }( h6 k) A
|( [* i. m9 P1 X, ]
4 v" J. Q+ z0 b7 k; W3 i7 J
# H/ V- g& x9 m3 n; M; n' P! W | 
